HGT1S3N60A4DS9A
PDF資料下載

HGT1S3N60A4DS9A參數(shù)：IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準包裝：50
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.7V @ 15V，3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：17A
Current - Collector Pulsed (Icm)：40A
功率 - 最大值：70W
Switching Energy：37µJ (開), 25µJ (關(guān))
輸入類型：標(biāo)準
Gate Charge：21nC
Td (on/off) A 25°C：6ns/73ns
Test Condition：390V, 3A, 50 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時間 (trr)：19ns
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB