HGT1S20N60A4S9A
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HGT1S20N60A4S9A參數(shù)：IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：-
包裝：管件
IGBT類(lèi)型：-
電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic時(shí)的?Vce(on)：2.7V@15V，20A
電流-集電極(Ic)（最大值）：70A
Current-CollectorPulsed(Icm)：280A
功率-最大值：290W
SwitchingEnergy：105µJ(開(kāi)),150µJ(關(guān))
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
GateCharge：182nC
Td(on/off)A25°C：15ns/73ns
TestCondition：390V,20A,3歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB