HGT1S12N60A4DS
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HGT1S12N60A4DS參數(shù)：IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.7V @ 15V，12A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：54A
Current - Collector Pulsed (Icm)：96A
功率 - 最大值：167W
Switching Energy：55µJ (開), 50µJ (關(guān))
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：78nC
Td (on/off) A 25°C：17ns/96ns
Test Condition：390V, 12A, 10 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：18ns
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK