HAT2160N-EL-E參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：60A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.1 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：7600pF @ 10V功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）供應(yīng)商器件封裝：8-LFPAK-iV
