GT60N322(Q)參數(shù):IGBT 1000V 57A TO-3P LH
類別:分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:100系列:-包裝:管件IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.9V @ 15V,60A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):57ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A功率 - 最大值:200WSwitching Energy:-輸入類型:標準Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:450ns/410nsTest Condition:600V, 60A, 51 歐姆反向恢復時間 (trr):750ns封裝:TO-3PL安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(LH)