GT60N321(Q)參數(shù):IGBT 1000V 60A TO-3P LH
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:100系列:-包裝:管件IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.8V @ 15V,60A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A功率 - 最大值:170WSwitching Energy:-輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:330ns/700nsTest Condition:-反向恢復(fù)時間 (trr):800ns封裝:TO-3PL安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(LH)