GT25Q102(Q)參數(shù)：IGBT 1200V 25A TO-3P LH
類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝：100系列：-包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.7V @ 15V，25A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：25ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A功率 - 最大值：200WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：300ns/680nsTest Condition：600V, 25A, 43 歐姆反向恢復時間 (trr)：-封裝：TO-3PL安裝類型：通孔供應商器件封裝：TO-3P（LH）
