FS200R07A1E3參數(shù):IGBT 650V 250A 790W
類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:4系列:-IGBT 類(lèi)型:-配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):250A電流 - 集電極截止(最大值):1mA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):13nF @ 25V功率 - 最大值:790W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:是安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊