FQPF19N20參數：MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@5.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：40nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1600pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3整包供應商器件封裝：TO-220F
