FQPF18N20V2參數(shù):MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:1,000系列:QFET™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):18A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 9A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1080pF @ 25V功率 - 最大值:40W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F