FQP9N08L參數(shù):MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:QFET™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):80V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):9.3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 4.65A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6.1nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):280pF @ 25V功率 - 最大值:40W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:TO-220