FQN1N60CTA參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,000系列：QFET™包裝：帶盒（TB）FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：300mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11.5 歐姆 @ 150mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.2nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：170pF @ 25V功率 - 最大值：1W安裝類型：通孔封裝：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線供應商器件封裝：TO-92-3
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