FJZ594JBTF參數(shù):IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET(結(jié)點場效應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):150µA @ 5V漏源極電壓 (Vdss):-漏極電流 (Id) - 最大值:1mAFET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):20V不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 1µA不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3.5pF @ 5V電阻 - RDS(開):-安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-623F供應(yīng)商器件封裝:SOT-623F功率 - 最大值:100mW