FGD3N60UNDF參數(shù):IGBT 600V 6A 60W DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路特色產(chǎn)品: FGD3N60UNDFShortCircuitRatedIGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic時(shí)的?Vce(on):2.52V@15V,3A電流-集電極(Ic)(最大值):6ACurrent-CollectorPulsed(Icm):6A功率-最大值:60WSwitchingEnergy:82µJ輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)GateCharge:1.6nCTd(on/off)A25°C:5.5ns/22nsTestCondition:400V,3A,10歐姆,15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr):21ns封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252