FGD3N60LSDTM參數(shù):IGBT N-CH 600V FOR HID APP DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic時的?Vce(on):1.5V@10V,3A電流-集電極(Ic)(最大值):6ACurrent-CollectorPulsed(Icm):25A功率-最大值:40WSwitchingEnergy:250µJ(開),1mJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)GateCharge:12.5nCTd(on/off)A25°C:40ns/600nsTestCondition:480V,3A,470歐姆,10V反向恢復(fù)時間(trr):234ns封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak