FGA60N65SMD參數(shù):IGBT 650V 120A TO-3P
類別:分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:30系列:-包裝:管件IGBT 類型:場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):120ACurrent - Collector Pulsed (Icm):180A功率 - 最大值:600WSwitching Energy:1.99mJ輸入類型:標準Gate Charge:87nCTd (on/off) A 25°C:18ns/104nsTest Condition:400V, 60A, 3 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr):47ns封裝:TO-3P-3,SC-65-3安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-3P