FDT457N參數(shù):MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):60毫歐@5A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):5.9nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):235pF@15V功率-最大值:1.1W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SOT-223-3