FDS8896參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：15A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6毫歐@15A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：67nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2525pF@15V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
