FDS86242參數(shù):MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):150V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):4.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 4.1A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):760pF @ 75V功率 - 最大值:2.5W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應商器件封裝:8-SOIC N