FDS7082N3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：17.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6毫歐@17.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：53nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2271pF@15V功率-最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
