FDS7066N7參數(shù):MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence: MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification: MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):23A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):4.5毫歐@23A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):69nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):4973pF@15V功率-最大值:1.7W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC