FDS6986AS參數(shù):MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007標準包裝:2,500系列:PowerTrench®,SyncFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:2個N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):6.5A,7.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):29毫歐@6.5A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):17nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):720pF@10V功率-最大值:900mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO