FDS6898AZ參數(shù):MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
類別:分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007標準包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:2個N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):9.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):14毫歐@9.4A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):23nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1821pF@10V功率-最大值:900mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應商器件封裝:8-SOICN