FDS6699S參數(shù):MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:PowerTrench®,SyncFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):21A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):3.6毫歐@21A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):91nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):3610pF@15V功率-最大值:1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO