FDS5170N7參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12毫歐@10.6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：71nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2889pF@30V功率-最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤供應商器件封裝：8-SOIC
