FDS4435BZ參數(shù):MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007標準包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):8.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):20毫歐@8.8A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):40nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1845pF@15V功率-最大值:1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應商器件封裝:8-SOICN