EMG2DXV5T5G參數(shù):TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式產(chǎn)品變化通告: WireBondChange01/Dec/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000系列:-包裝:帶卷(TR)晶體管類型:2個(gè)NPN預(yù)偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基底(R1)(Ω):47k電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω):47k不同?Ic、Vce?時(shí)的DC電流增益(hFE)(最小值):80@5mA,10V不同?Ib、Ic時(shí)的?Vce飽和值(最大值):250mV@300µA,10mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:-功率-最大值:230mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-553供應(yīng)商器件封裝:SOT-553