EMD4DXV6T1G參數:TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
類別:分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式產品變化通告: WireBondChange01/Dec/2010標準包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)晶體管類型:1個NPN,1個PNP-預偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基底(R1)(Ω):47k,10k電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω):47k不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)(最小值):80@5mA,10V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值(最大值):250mV@300µA,10mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:-功率-最大值:500mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-563,SOT-666供應商器件封裝:SOT-563