EMD30T2R參數(shù)：TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA，200mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V，30V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k，1k電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：10k不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 2.5mA，50mA電流 - 集電極截止（最大值）：500nA頻率 - 躍遷：250MHz，260MHz功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：EMT6
