EMD29T2R參數(shù)：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
類別：分立半導體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式產(chǎn)品目錄繪圖： EMT-6PackageTop標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)晶體管類型：1個NPN，1個PNP-預偏壓式（雙）電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA，500mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V，12V電阻器-基底(R1)(Ω)：1k，10k電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：10k不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：30@5mA，5V/140@100mA，2V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@500µA，10mA/300mV@5mA，100mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：250MHz，260MHz功率-最大值：120mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：EMT6
