DMP21D5UFB4-7B參數(shù):MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):700mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):970 毫歐 @ 100mA,5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):500nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):46.1pF @ 10V功率 - 最大值:460mW安裝類型:表面貼裝封裝:3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)