DMP2069UFY4-7參數(shù):MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):54毫歐@2.5A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):9.1nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):214pF@10V功率-最大值:530mW安裝類型:表面貼裝封裝:3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝:DFN2015H4-3