DMP10H400SK3-13
PDF資料下載

DMP10H400SK3-13參數(shù)：MOSFET P CH 100V 9A TO252

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：240毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17.5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1239pF@25V
功率-最大值：42W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252