DMN65D8LDW-7參數(shù)：MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6歐姆@115mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.87nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：22pF@25V功率-最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SOT-363
