DMN6068SE-13
PDF資料下載

DMN6068SE-13參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.1A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：68毫歐@12A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10.3nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：502pF@30V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223