DMN6068LK3-13參數(shù):MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):68毫歐@12A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):10.3nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):502pF@30V功率-最大值:2.12W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3