DMN3033LDM-7參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：33毫歐@6.9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：755pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：SOT-26
