DMN3025LFG-7參數(shù):MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):7.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):18毫歐@7.8A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):11.6nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):605pF@15V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝:PowerDI3333-8