DMN3024LSS-13參數(shù):MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):6.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):24毫歐@7A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):12.9nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):608pF@15V功率-最大值:1.6W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO