DMN3024LSD-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：24毫歐@7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.9nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：608pF@15V功率-最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
DIODESSOP82023+93350全新原廠原裝現(xiàn)貨
