DMN26D0UT-7參數(shù):MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):230mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):3歐姆@100mA,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):14.1pF@15V功率-最大值:300mW安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:SOT-523供應(yīng)商器件封裝:SOT-523