DMN26D0UFB4-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：230mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3歐姆@100mA，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：14.1pF@15V功率-最大值：350mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
