DMN2400UFB4-7參數(shù):MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):750mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 600mA,4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):36pF @ 16V功率 - 最大值:470mW安裝類型:表面貼裝封裝:3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)