DMN2300UFB4-7B參數(shù)：MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：175 毫歐 @ 300mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：64.3pF @ 25V功率 - 最大值：470mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
