DMN2250UFB-7B參數(shù)：MOSF N CH 20V 1.35A X1DFN10063
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.35A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 1A， 4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.1nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：94pF @ 16V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-UFDFN供應商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）
