DMN21D2UFB-7B參數(shù)：MOSFET N CH 20V 3DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：760mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：990 毫歐 @ 100mA，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：0.93nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：27.6pF @ 16V功率 - 最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）
