DMN2040LTS-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：26毫歐@6A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：5.2nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：570pF@10V功率-最大值：890mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
