DMN2016UTS-13參數(shù):MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):8.58A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):14.5毫歐@9.4A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):16.5nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1495pF@10V功率-最大值:880mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-TSSOP(0.173",4.40mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP