DMN2013UFDE-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：10.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 8.5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25.8nC @ 8V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2453pF @ 10V功率 - 最大值：660mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-UDFN供應(yīng)商器件封裝：*
