DMN1150UFB-7B參數(shù):MOSF N CH 12V 1.41A X1DFN10063
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss):12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):1.41A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1A, 4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.5nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):106pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:3-UFDFN供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)